MRF6S21140HSR5【PDF 4/14 页】MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S

您好，
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册

1页 2页 3页 [4页]5页 6页 7页 8页

12

RF Device Data

Freescale Semiconductor

MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

*

*

*

相关PDF资料

MRF6S21190HSR5 MOSFET RF N-CH 54W NI880S

MRF6S23100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S

MRF6S23140HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S

MRF6S24140HS IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S

MRF6S27015NR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2

MRF6S27050HSR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S

MRF6S27085HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S

MRF6S9045NR1 MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2

相关代理商/技术参数

MRF6S21190H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors

MRF6S21190HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF6S21190HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF6S21190HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF6S21190HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF6S23100H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors

MRF6S23100HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF6S23100HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors